Скорость чтения микросхемы составит 850 мегабайт в секунду, скорость записи — 250 Мбайт/с., сообщается в пресс-релизе. Другими словами, чип Samsung сможет считывать информацию втрое быстрее, чем самая высокопроизводительная на сегодняшний день microSD-карта памяти.
В основе разработки корейской компании лежит V-NAND — технология "трехмерной" флеш-памяти, которая отличается особо высокой плотностью записи данных. За счет этого чип Samsung способен выполнять до 45 тысяч операций чтения и до 40 тысяч операций записи в секунду (IOPS) — вдвое быстрее, чем предлагает стандарт UFS 1-го поколения.
Новая UFS-память объемом 256 ГБ будет способна без задержек воспроизводить видео в качестве Ultra HD на больших экранах мобильных устройств, а также хранить около 47 фильмов в формате Full HD. "Кроме того, с появлением смартфонов следующего поколения, поддерживающих интерфейс USB 3.0, пользователи смогут передавать данные между устройствами гораздо быстрее. Интерфейс USB 3.0 позволит передать 5-гигабайтный эквивалент видеоклипа Full HD (фильм средней продолжительностью 90 минут) за 12 секунд" — сказали в Samsung.
Вполне возможно, что Samsung первой укомплектует памятью 256 ГБ с UFS 2.0 собственное устройство — например, Galaxy Note 6. Как ожидается, флагманский фаблет нового поколения будет представлен этой осенью.